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eWave/ePCD支持各种常见的CMOS工艺文件和内建tlib工艺文件。
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(1)eWave输入输出均采用业界通用的标准格式，可以自动从版图文件中读取待分析结构，以S-参数等多种形式输出分析结果。eWave采用MoM分析方法，结合用于分析衬底损耗的多层格林函数，可以求解任意形状的片上结构的电流或电场分布。
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(2)ePCD可以用于片上螺旋电感、变压器、电容等的优化设计。输入是用户希望达到的电路参数，如电感值L和品质因数Q等，以及可以优化的参数及其搜索空间范围，输出为片上结构的几何参数值和布好线的单元库。
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(1)eWave/ePCD 接近NlogN算法，理论上已达最优，仿真速度非常快。
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(2)卓越的多线程技术，N核接近N倍提速，远超业界同类产品。
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(3)分布式计算技术，方便的把频点计算分布到多台计算集群，最后综合结果，用户无缝体验分布式提速，冗余可忽略。
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(1)eWave世界首创的矩形+三角形剖分方法同时兼顾精度和速度，计算未知量最少，不但节省内存，提高速度，而且精度也比纯三角剖分更精准。
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(2)多种使用模式，比如Port模式，对有Port相连的金属进行更精细的剖分，而没有Port相连的部分剖分更粗放；Cap模式对同层金属的上下表面都进行精细剖分，能精确仿真间隔非常近的金属之间的电容，同样的电感则不需要过分剖分。
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(3)有经验用户可滑动剖分密度条，在精度和速度上选择自己的平衡点。
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(1)提高设计效率：取决于设计公司对无源器件的使用情况，和手工设计相比，使用ePCD/eWave提高的效率相当于节省一名RF工程师三个月到两年的工作量。
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(2)提高流片成功率。例如eWave/ePCD支持更完整的DRC/LVS检查，避免手工设计带来的风险。曾经有客户手工设计的Tap端口没有真实接地造成流片失败，损失几十万美元。
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(3)提高设计良品率。使用eWave/ePCD对耦合效应，元件摆放方向，即使是PDK元件进行多遍仿真确认，实践证明可以提高设计良率。就算提高1%，也是效益可观的。
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(4)降低成本。ePCD强大的综合（找最优解）功能平均能比手工设计降低10%-20%的设计面积。多个无源器件省下的芯片面积是相当可观的。
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(5)九同方对初创企业有潜力合作计划，详情请和销售联系，电子邮件至sales@ic9cube.com。
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简单电感、差分电感、堆栈电感、对称变压器、巴伦变压器、交指电容、平板电容等。
